据外媒 Neowin 消息，韩国芯片制造商 SK 海力士今日宣布，已经利用 EVU 极紫外光光刻机，研发出1anm 芯片制造工艺。这项技术相比 2019 年推出的 1znm 工艺，密度更大，制成的芯片功耗更低。

官方表示，该技术可以在相同的晶圆面积下，获得多达 25% 的芯片产量提升。

海力士 1anm 技术可以使得目前智能手机广泛使用的 LPDDR4 内存芯片达到 4266Mbps 的高速度，与更先进的 LPDDR4X 芯片频率一致。不仅如此，采用新工艺的内存芯片功耗可以降低多达 20%。

据了解到，搭载海力士最新 1anm 工艺内存芯片的智能手机，预计将在今年下半年上市。海力士未来还会将该工艺应用于 LPDDR5 内存的生产上。